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淺談CCD傳感器和CMOS傳感器的區(qū)別

淺談CCD傳感器和CMOS傳感器的區(qū)別

發(fā)布日期:2021/7/28 9:25:39

CMOS傳感器制造和使用大多數(shù)微處理器使用的傳統(tǒng)制造技術(shù)便宜。 他們也被認(rèn)為是更好的能源效率。 根據(jù)Jacob Fraden的“現(xiàn)代傳感器手冊(cè)”,CCD傳感器可以消耗高達(dá)100倍的相對(duì)CMOS圖像傳感器的功率。

  1.信息讀取方式:CCD電荷耦合器存儲(chǔ)的電荷信息,需在同步信號(hào)控制下一位一位地實(shí)施轉(zhuǎn)移后讀取,電荷信息轉(zhuǎn)移和讀取輸出需要有時(shí)鐘控制電路和三組不同的電源相配合,整個(gè)電路較為復(fù)雜。CMOS光電傳感器經(jīng)光電轉(zhuǎn)換后直接產(chǎn)生電流(或電壓)信號(hào),信號(hào)讀取十分簡(jiǎn)單。

  2.速度:CCD電荷耦合器需在同步時(shí)鐘的控制下,以行為單位一位一位地輸出信息,速度較慢;而CMOS光電傳感器采集光信號(hào)的同時(shí)就可以取出電信號(hào),還能同時(shí)處理各單元的圖像信息,速度比CCD電荷耦合器快很多。

  3.電源及耗電量:CCD電荷耦合器大多需要三組電源供電,耗電量較大;CMOS光電傳感器只需使用一個(gè)電源,耗電量非常小,僅為CCD電荷耦合器的1/8到1/10,CMOS光電傳感器在節(jié)能方面具有很大優(yōu)勢(shì)。

  4.成像質(zhì)量:CCD電荷耦合器制作技術(shù)起步早,技術(shù)成熟,采用PN結(jié)或二氧化硅(SiO2)隔離層隔離噪聲,成像質(zhì)量相對(duì)CMOS光電傳感器有一定優(yōu)勢(shì)。由于CMOS光電傳感器集成度高,各光電傳感元件、電路之間距離很近,相互之間的光、電、磁干擾較嚴(yán)重,噪聲對(duì)圖像質(zhì)量影響很大,使CMOS光電傳感器很長(zhǎng)一段時(shí)間無(wú)法進(jìn)入實(shí)用。近年,隨著CMOS電路消噪技術(shù)的不斷發(fā)展,為生產(chǎn)高密度優(yōu)質(zhì)的CMOS圖像傳感器提供了良好的條件。

  標(biāo)簽:ccd電荷耦合

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文章關(guān)鍵詞:ccd電荷耦合
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